STDRIVEG600

Name: STMicroelectronics STDRIVEG600
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG600
Price: 36.53 RMB
Availability: InStock

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请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STDRIVEG600

制造商编号：

STDRIVEG600

制造商：

STMicroelectronics

说明：

栅极驱动器 High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors

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数据表:

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¥-.--

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数量	单价	总价
	¥41.2789	¥41.28
	¥32.2615	¥322.62
	¥28.3743	¥709.36
	¥26.9618	¥2,696.18
	¥25.7301	¥6,432.53
	¥24.8939	¥12,446.95
	¥23.5718	¥23,571.80
	¥22.6678	¥45,335.60

备用包装

制造商零件编号:

STDRIVEG600TR

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥33.6627

最小:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	栅极驱动器
RoHS:
产品:	Half-Bridge Drivers
类型:	High-Side, Low-Side
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOIC-16
激励器数量:	2 Driver
输出端数量:	1 Output
输出电流:	5.5 A, 6 A
电源电压-最小:	4.75 V
电源电压-最大:	20 V
上升时间:	7 ns
下降时间:	5 ns
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
逻辑类型:	CMOS, TTL
湿度敏感性:	Yes
输出电压:	520 V
产品类型:	Gate Drivers
工厂包装数量:	1000
子类别:	PMIC - Power Management ICs
技术:	GaN

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USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

STDRIVEG600半桥栅极驱动器

STMicroelectronics STDRIVEG600半桥栅极驱动器是一款单芯片半桥栅极驱动器，用于GaN（氮化镓）eHEMT（增强模式高电子迁移率晶体管）或N沟道功率MOSFET。STDRIVEG600的高侧设计用于承受高达600V的电压，适合用于总线电压高达500V的设计。该器件具有大电流能力、短传播延迟以及低至5V的工作电源电压，因此非常适合用于驱动高速GaN和硅FET。