STDRIVEG600W

STMicroelectronics
511-STDRIVEG600W
STDRIVEG600W

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说明：
栅极驱动器 High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors
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栅极驱动器 High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors
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STMicroelectronics
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-16
2 Driver
1 Output
5.5 A, 6 A
4.75 V
20 V
7 ns
5 ns
- 40 C
+ 125 C
Bulk
商标: STMicroelectronics
输出电压: 520 V
产品类型: Gate Drivers
工厂包装数量: 1
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: GaN
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

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CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

STDRIVEG600半桥栅极驱动器

STMicroelectronics  STDRIVEG600半桥栅极驱动器是一款单芯片半桥栅极驱动器，用于GaN（氮化镓）eHEMT（增强模式高电子迁移率晶体管）或N沟道功率MOSFET。STDRIVEG600的高侧设计用于承受高达600V的电压，适合用于总线电压高达500V的设计。该器件具有大电流能力、短传播延迟以及低至5V的工作电源电压，因此非常适合用于驱动高速GaN和硅FET。 

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