STDRIVEG611Q

STMicroelectronics
511-STDRIVEG611Q
STDRIVEG611Q

制造商：

说明：
栅极驱动器 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
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数据表:
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库存：
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥24.8939 ¥24.89
¥18.6902 ¥186.90
¥17.1195 ¥427.99
¥15.3906 ¥1,539.06
¥14.0572 ¥3,514.30
¥13.6504 ¥6,825.20
¥13.4809 ¥13,480.90
¥13.1532 ¥32,883.00
¥12.9046 ¥63,232.54

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
10.6 V
18 V
Inverting, Non-Inverting
11 ns
22 ns
- 40 C
+ 125 C
Tray
商标: STMicroelectronics
输入电压 - 最大值: 20 V
输入电压 - 最小值: 3.3 V
最大关闭延迟时间: 60 ns
最大开启延迟时间: 60 ns
湿度敏感性: Yes
产品类型: Gate Drivers
关闭: No Shutdown
工厂包装数量: 4900
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: GaN
单位重量: 44 mg
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

STDRIVEG611半桥栅极驱动器

STMicroelectronics STDRIVEG611半桥栅极驱动器是用于N沟道增强模式GaN的高压半桥栅极驱动器。高侧驱动器部分设计能够承受高达600V的电压轨，并且可以轻松由集成自举二极管供电。大电流能力、短传播延迟、出色的延迟匹配以及集成低压差稳压器使STDRIVEG611成为驱动高速GaN的理想选择。

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