STDRIVEG611Q

Name: STMicroelectronics STDRIVEG611Q
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG611Q
Price: 22.69 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STDRIVEG611Q

制造商编号：

STDRIVEG611Q

制造商：

STMicroelectronics

说明：

栅极驱动器 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

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数据表:

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¥-.--

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数量	单价	总价
	¥25.6397	¥25.64
	¥19.2778	¥192.78
	¥17.6167	¥440.42
	¥15.8765	¥1,587.65
	¥14.4753	¥3,618.83
	¥14.0572	¥7,028.60
	¥13.8086	¥13,808.60
	¥13.4018	¥33,504.50
	¥13.0741	¥64,063.09

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	栅极驱动器
RoHS:
产品:	Gate Drivers
类型:	Half-Bridge
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	QFN-18
激励器数量:	2 Driver
输出端数量:	3 Output
电源电压-最小:	10.6 V
电源电压-最大:	18 V
配置:	Inverting, Non-Inverting
上升时间:	11 ns
下降时间:	22 ns
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
封装:	Tray
商标:	STMicroelectronics
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	TH
输入电压 - 最大值:	20 V
输入电压 - 最小值:	3.3 V
最大关闭延迟时间:	60 ns
最大开启延迟时间:	60 ns
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	Gate Drivers
关闭:	No Shutdown
工厂包装数量:	4900
子类别:	PMIC - Power Management ICs
技术:	GaN
单位重量:	44 mg

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

STDRIVEG611半桥栅极驱动器

STMicroelectronics STDRIVEG611半桥栅极驱动器是用于N沟道增强模式GaN的高压半桥栅极驱动器。高侧驱动器部分设计能够承受高达600V的电压轨，并且可以轻松由集成自举二极管供电。大电流能力、短传播延迟、出色的延迟匹配以及集成低压差稳压器使STDRIVEG611成为驱动高速GaN的理想选择。