STDRIVEG612QTR

STMicroelectronics
511-STDRIVEG612QTR
STDRIVEG612QTR

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栅极驱动器 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
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产品种类: 栅极驱动器
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Gate Driver
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
1.8 A
10.3 V
18 V
Inverting, Non-Inverting
22 ns
13 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
商标: STMicroelectronics
最大关闭延迟时间: 65 ns
最大开启延迟时间: 65 ns
输出电压: 520 V
产品类型: Gate Drivers
传播延迟—最大值: 65 ns
Rds On-漏源导通电阻: 6.8 Ohms
关闭: Shutdown
工厂包装数量: 3000
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: GaN
商标名: STDRIVE
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STDRIVEG612 600 V半桥栅极驱动器

STMicroelectronics STDRIVEG612是一款600V高速半桥栅极驱动器，专为5V驱动增强模式GaN HEMT而优化。根据设计，其高侧驱动器部分支持高达600V的电压轨，且可由集成的自举二极管轻松供电。STDRIVEG612具备高电流能力、短传播延迟以及出色的延迟匹配，同时集成了LDO稳压器，使其成为驱动高速GaN的理想选择。

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