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STF12N65M2

Name: STMicroelectronics STF12N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF12N65M2
Price: 18.3 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STF12N65M2

制造商编号：

STF12N65M2

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package

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数量	单价	总价
	¥20.679	¥20.68
	¥10.8367	¥108.37
	¥9.0174	¥901.74
	¥7.6388	¥3,819.40
	¥6.7687	¥6,768.70
	¥6.5879	¥13,175.80
	¥6.0794	¥30,397.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220FP-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	8 A
Rds On-漏源导通电阻:	500 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	16.7 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	25 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	13.5 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	7 ns
系列:	STF12N65M2
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	34 ns
典型接通延迟时间:	9 ns
单位重量:	2 g

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数据表

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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