STF13NM60ND

STMicroelectronics
511-STF13NM60ND
STF13NM60ND

制造商：

说明：
MOSFET N-CH 600V 0.32Ohm 11A FDMesh II
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数量 单价
总价
¥37.4708 ¥37.47
¥21.5039 ¥215.04
¥20.1818 ¥2,018.18
¥18.1139 ¥9,056.95

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
11 A
380 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
24.5 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 15.4 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 10 ns
系列: STF13NM60ND
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 9.6 ns
典型接通延迟时间: 46.5 ns
单位重量: 2 g
找到的产品:
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要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

N-Channel FDmesh Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel FDmesh™ Power MOSFETs are a power MOSFET which belongs to the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to STMicroelectronic's strip layout and associates all advantages of reduced on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode. These MOSFETs feature fast recovery, low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and extremely high dv/dt and avalanche capabilities.

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