STF16N65M5

STMicroelectronics
511-STF16N65M5
STF16N65M5

制造商：

说明：
MOSFET N-CH 65V 12A MDMESH
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数量 单价
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¥32.9169 ¥32.92
¥21.5039 ¥215.04
¥15.7974 ¥1,579.74
¥14.0572 ¥7,028.60
¥12.0797 ¥12,079.70
¥11.3339 ¥22,667.80

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
12 A
279 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
31 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
MDmesh
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 7 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 9 ns
系列: Mdmesh M5
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 30 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
单位重量: 2 g
找到的产品:
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要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

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STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合，满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT（用于硬开关和软开关拓扑）和低压沟槽式MOSFET（用于电源转换和BLDC电机驱动器）。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C)，超小RDS(on) 区域（ 随温度变化非常小）以及出色的开关性能，从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制，M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

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