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STF24N60M2

Name: STMicroelectronics STF24N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF24N60M2
Price: 24.01 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
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Mouser编号：

511-STF24N60M2

制造商编号：

STF24N60M2

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2

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STF24N60M2 数据表 (PDF)

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数量	单价	总价
	¥27.1313	¥27.13
	¥14.803	¥148.03
	¥13.1532	¥1,315.32
	¥10.9158	¥5,457.90
	¥9.8423	¥9,842.30
	¥9.266	¥18,532.00
	¥8.6897	¥43,448.50

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	18 A
Rds On-漏源导通电阻:	190 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	29 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	30 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	15 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	9 ns
系列:	STF24N60M2
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	60 ns
典型接通延迟时间:	14 ns
单位重量:	2 g

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数据表

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 新加坡
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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