STF26N60M2

STMicroelectronics
511-STF26N60M2
STF26N60M2

制造商:

说明:
MOSFET N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 981

库存:
981 可立即发货
生产周期:
14 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥28.2048 ¥28.20
¥14.2267 ¥142.27
¥12.8255 ¥1,282.55
¥10.4186 ¥5,209.30
¥9.5937 ¥9,593.70
¥9.0174 ¥18,034.80

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
20 A
165 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
MDmesh
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
产品类型: MOSFETs
系列: STF26N60M2
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
单位重量: 2 g
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MDmesh™ II 功率 MOSFET

意法半导体 MDmesh™ II 功率 MOSFET 将垂直结构与 STM 带状布局相结合,产生了业界最低的导通电阻和栅极电荷,使其能适应要求最高的高效转换器。这些 MDmesh™ II 功率 MOSFET 完全绝缘,采用薄型封装,加长了从引脚到散热盘的爬电路径。它们经 100% 雪崩测试,输入电容、栅极电荷及栅极输入电阻低。
了解更多