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STF28N60M2

Name: STMicroelectronics STF28N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF28N60M2
Price: 30.82 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STF28N60M2

制造商编号：

STF28N60M2

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2

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数据表:

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数量	单价	总价
	¥34.8266	¥34.83
	¥17.7862	¥177.86
	¥16.7127	¥1,671.27
	¥13.8086	¥6,904.30
	¥12.1588	¥12,158.80
	¥11.413	¥22,826.00
	¥10.9158	¥54,579.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	24 A
Rds On-漏源导通电阻:	120 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	37 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	35 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
产品类型:	MOSFETs
系列:	STF28N60M2
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
单位重量:	2 g

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已选择的属性: 0

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数据表

STF28N60M2 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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