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STF7NM80

Name: STMicroelectronics STF7NM80
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF7NM80
Price: 14.71 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STF7NM80

制造商编号：

STF7NM80

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET

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数据表:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	800 V
Id-连续漏极电流:	6.5 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.05 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	18 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	25 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	10 ns
正向跨导 - 最小值:	4 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	8 ns
系列:	STF7NM80
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	35 ns
典型接通延迟时间:	20 ns
单位重量:	2 g

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已选择的属性: 0

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数据表

STF7NM80 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 意大利
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics' MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market. Key features include low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and best R_DS(on)*Q_g in the industry.