STFW40N60M2

STMicroelectronics
511-STFW40N60M2
STFW40N60M2

制造商:

说明:
MOSFET N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-3PF package

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 425

库存:
425 可立即发货
生产周期:
14 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥44.4994 ¥44.50
¥28.1257 ¥281.26
¥24.3176 ¥2,431.76

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-3PF-3
N-Channel
1 Channel
600 V
34 A
78 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
57 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
MDmesh
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: KR
下降时间: 11 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 13.5 ns
系列: STFW40N60M2
工厂包装数量: 300
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 96 ns
典型接通延迟时间: 20.5 ns
单位重量: 7 g
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MDmesh™ II 功率 MOSFET

意法半导体 MDmesh™ II 功率 MOSFET 将垂直结构与 STM 带状布局相结合,产生了业界最低的导通电阻和栅极电荷,使其能适应要求最高的高效转换器。这些 MDmesh™ II 功率 MOSFET 完全绝缘,采用薄型封装,加长了从引脚到散热盘的爬电路径。它们经 100% 雪崩测试,输入电容、栅极电荷及栅极输入电阻低。
了解更多

功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合,满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT(用于硬开关和软开关拓扑)和低压沟槽式MOSFET(用于电源转换和BLDC电机驱动器)。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C),超小RDS(on) 区域( 随温度变化非常小)以及出色的开关性能,从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制,M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。