STFW4N150

STMicroelectronics
511-STFW4N150
STFW4N150

制造商:

说明:
MOSFET N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 354

库存:
354 可立即发货
生产周期:
14 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥53.0196 ¥53.02
¥40.6122 ¥406.12
¥32.8378 ¥3,283.78
¥29.1992 ¥17,519.52
¥24.9843 ¥29,981.16

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-3PF-3
N-Channel
1 Channel
1.5 kV
4 A
7 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
50 nC
- 55 C
+ 150 C
63 W
Enhancement
PowerMESH
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
产品类型: MOSFETs
系列: STFW4N150
工厂包装数量: 300
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
单位重量: 7 g
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

N 通道 PowerMESH 功率 MOSFET

STMicroelectronics N 通道 PowerMESH 功率 MOSFET 设计采用了 STMicroelectronics 基于合并带状布局的 MESH OVERLAY™ 工艺。 此工艺可使先进的家用高压功率 MOSFET 获得优异的性能。 强化布局加上专有的边缘终端结构缔造了最低的单位面积 RDS(on) 、无与伦比的栅极电荷以及开关特性。
了解更多

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors