STGB10H60DF

Name: STMicroelectronics STGB10H60DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGB10H60DF
Price: 18.15 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STGB10H60DF

制造商编号：

STGB10H60DF

制造商：

STMicroelectronics

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed

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封装:

整卷卷轴（请按1000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥20.5095	¥20.51
	¥13.1532	¥131.53
	¥8.9383	¥893.83
	¥7.1642	¥3,582.10
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
	¥6.4975	¥6,497.50
	¥5.8647	¥11,729.40
	¥5.424	¥27,120.00
	¥5.3901	¥53,901.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	D2PAK
安装风格:	SMD/SMT
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	600 V
集电极—射极饱和电压:	1.5 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	20 A
Pd-功率耗散:	115 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	STGB10H60DF
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流:	250 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	1000
子类别:	IGBTs
单位重量:	2 g

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已选择的属性: 0

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数据表

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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