STGD6M65DF2

STMicroelectronics
511-STGD6M65DF2
STGD6M65DF2

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥14.2267 ¥14.23
¥9.0174 ¥90.17
¥6.0116 ¥601.16
¥4.7347 ¥2,367.35
¥4.3166 ¥4,316.60
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥3.8646 ¥9,661.50
¥3.6838 ¥18,419.00
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
DPAK-3 (TO-252-3)
SMD/SMT
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
12 A
88 W
- 55 C
+ 175 C
STGD6M65DF2
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 12 A
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
栅极—射极漏泄电流: 250 uA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 2500
子类别: IGBTs
单位重量: 330 mg
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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