STGF10M65DF2

STMicroelectronics
511-STGF10M65DF2
STGF10M65DF2

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

ECAD模型:
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供货情况

库存:
无库存
生产周期:
15 周 预计工厂生产时间。
最少: 2000   倍数: 1000
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥4.0906 ¥8,181.20
¥3.7177 ¥18,588.50
¥3.6047 ¥36,047.00

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-220FP-3
Through Hole
Single
650 V
1.8 V
- 20 V, 20 V
20 A
30 W
- 55 C
+ 175 C
STGF10M65DF2
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 20 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 250 uA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
单位重量: 2 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99