STGF10NC60KD

STMicroelectronics
511-STGF10NC60KD
STGF10NC60KD

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) PowerMESH&#34 IGBT

ECAD模型:
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库存量: 2,130

库存:
2,130 可立即发货
生产周期:
20 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥13.8086 ¥13.81
¥6.6896 ¥66.90
¥5.9664 ¥596.64
¥4.6895 ¥2,344.75
¥4.2714 ¥4,271.40
¥3.9324 ¥7,864.80
¥3.5595 ¥21,357.00
¥3.3222 ¥33,222.00

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-220-3 FP
Through Hole
Single
600 V
2 V
- 20 V, 20 V
9 A
25 W
- 55 C
+ 150 C
STGF10NC60KD
Tube
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 9 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 2000
子类别: IGBTs
单位重量: 2.300 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。