STGFW20V60DF

STMicroelectronics
511-STGFW20V60DF
STGFW20V60DF

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 167

库存:
167 可立即发货
数量大于167的订购须受最低订购要求的限制。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥33.5836 ¥33.58
¥19.0292 ¥190.29
¥15.9669 ¥1,596.69
¥12.4074 ¥7,444.44
¥11.6616 ¥13,993.92
¥11.4921 ¥31,028.67

类似产品

STMicroelectronics STGW20V60DF
STMicroelectronics
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
寿命结束: 将过时且制造商将停产。

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-3PF
Through Hole
Single
600 V
1.8 V
- 20 V, 20 V
40 A
52 W
- 55 C
+ 175 C
STGFW20V60DF
Tube
商标: STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 300
子类别: IGBTs
单位重量: 7 g
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
韩国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。