STGFW40H65FB

STMicroelectronics
511-STGFW40H65FB
STGFW40H65FB

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 290

库存:
290 可立即发货
生产周期:
14 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于290的订购须受最低订购要求的限制。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥33.1655 ¥33.17
¥18.2834 ¥182.83
¥14.9725 ¥1,497.25
¥12.4865 ¥7,491.90
¥11.2548 ¥13,505.76

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-3PF
Through Hole
Single
650 V
2 V
- 20 V, 20 V
80 A
62.5 W
- 55 C
+ 175 C
STGFW40H65FB
商标: STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 300
子类别: IGBTs
单位重量: 7 g
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

600-650V IGBT

STMicroelectronics 600-650V IGBT 为工作频率高达 100 kHz 的应用提供的最大集电极范围为 3A-150A。提供了多种版本,并带有专用内置反向并联二极管以实现设计优化。利用 ST 获得专利的标准冲压穿透 PowerMESH 技术和新引进的沟槽栅场终止技术来实现该电压范围。这些 600-650V IGBT 的目标应用包括家用电器、感应加热、光伏、UPS、焊接和照明。提供的封装选项包括 D2PAK、DPAK、SOTOP、Max247、TO-220、TO-220FP、TO-247、 TO-247 长引线和 TO-3PF。
了解更多

功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合,满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT(用于硬开关和软开关拓扑)和低压沟槽式MOSFET(用于电源转换和BLDC电机驱动器)。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C),超小RDS(on) 区域( 随温度变化非常小)以及出色的开关性能,从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制,M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

650V HB 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT

STMicroelectronics 650V HB 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT 是采用先进的、具有专利的沟槽式栅极和场终止型结构进行开发的 IGBT。这些器件在传导和开关损耗间取得最佳折中,使任何频率转换器的效率实现最大化。凭借 ST 先进的沟槽式栅极和场终止高速技术,这些 IGBT 具有最低程度的集电极电流断开拖尾,以及非常低的饱和电压(Vce(sat))(典型值低至 1.6V),尽可能降低了开关和打开过程中的电能损耗。此外,微正的 VCE(sat) 温度系数和非常紧密的参数分布实现了更为安全的并行工作。
了解更多