STGP10H60DF

STMicroelectronics
511-STGP10H60DF
STGP10H60DF

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate H series 600V 10A HiSpd

ECAD模型:
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库存量: 1,971

库存:
1,971 可立即发货
生产周期:
15 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥18.0348 ¥18.03
¥7.8648 ¥78.65
¥7.2094 ¥720.94
¥6.215 ¥3,107.50
¥5.7743 ¥5,774.30
¥5.311 ¥10,622.00
¥4.8929 ¥24,464.50

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
600 V
1.5 V
- 20 V, 20 V
20 A
115 W
- 55 C
+ 175 C
STGP10H60DF
Tube
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 10 A
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
单位重量: 6 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99