STGP10H60DF

STMicroelectronics
511-STGP10H60DF
STGP10H60DF

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate H series 600V 10A HiSpd

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 821

库存:
821 可立即发货
生产周期:
15 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥19.1083 ¥19.11
¥9.3451 ¥93.45
¥7.4693 ¥746.93
¥6.3054 ¥3,152.70
¥6.0907 ¥6,090.70
¥5.6839 ¥11,367.80

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
600 V
1.5 V
- 20 V, 20 V
20 A
115 W
- 55 C
+ 175 C
STGP10H60DF
Tube
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 10 A
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
单位重量: 6 g
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。