STGP30H60DF

STMicroelectronics
511-STGP30H60DF
STGP30H60DF

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
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855
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2,000
待定
生产周期：
20
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥28.2839 ¥28.28
¥14.2267 ¥142.27
¥12.8255 ¥1,282.55
¥10.4186 ¥5,209.30
¥9.5937 ¥9,593.70
¥9.5146 ¥19,029.20

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
600 V
2.4 V
- 20 V, 20 V
60 A
260 W
- 40 C
+ 175 C
STGP30H60DF
Tube
商标: STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
单位重量: 2.300 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
不可用
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