STGP5H60DF

STMicroelectronics
511-STGP5H60DF
STGP5H60DF

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
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预期 2026/7/28
生产周期：
15
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥17.289 ¥17.29
¥8.3507 ¥83.51
¥7.458 ¥745.80
¥5.9099 ¥2,954.95
¥5.4127 ¥5,412.70
¥5.1076 ¥10,215.20
¥4.8138 ¥24,069.00

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
600 V
1.5 V
- 20 V, 20 V
10 A
88 W
- 55 C
+ 175 C
STGP5H60DF
Tube
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 10 A
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
单位重量: 2 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

1200V H 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT

STMicroelectronics 1200V H 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT 是采用先进的、具有专利的沟槽式栅极和场终止型结构进行开发的高速 IGBT。这些器件在传导和开关损耗间取得最佳折中，使任何频率转换器的效率实现最大化。得益于 ST 高级的沟槽式栅极场终止高速技术，这些 IGBT 在 TJ=150C 时具有 5μs 的最低短路承受时间、最少的集电极电流关闭拖尾，以及低至 2.1 V （典型值）的极低饱和电压(sat)），尽可能降低了开关和打开过程中的电能损耗。此外，微正的 VCE(sat) 温度系数和非常紧密的参数分布实现了更为安全的并行工作。1200V H 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT 是不间断电源、焊接机、光伏逆变器、功率因数校正、及高频转换器应用的理想选择。
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