STGP6M65DF2

STMicroelectronics
511-STGP6M65DF2
STGP6M65DF2

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss

ECAD模型:
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供货情况

库存:
无库存
生产周期:
15 周 预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥15.7183 ¥15.72
¥7.5145 ¥75.15
¥6.7122 ¥671.22
¥5.2997 ¥2,649.85
¥4.8477 ¥4,847.70
¥4.3844 ¥8,768.80
¥4.2714 ¥21,357.00

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
12 A
88 W
- 55 C
+ 175 C
STGP6M65DF2
Tube
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 12 A
栅极—射极漏泄电流: 250 uA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
单位重量: 1.800 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

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