STGP6M65DF2

STMicroelectronics
511-STGP6M65DF2
STGP6M65DF2

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss

ECAD模型:
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供货情况

库存:
无库存
生产周期:
15 周 预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥14.8934 ¥14.89
¥7.2659 ¥72.66
¥6.441 ¥644.10
¥5.0963 ¥2,548.15
¥4.6104 ¥4,610.40
¥4.1019 ¥8,203.80
¥3.8194 ¥19,097.00
¥3.729 ¥37,290.00

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
12 A
88 W
- 55 C
+ 175 C
STGP6M65DF2
Tube
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 12 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 250 uA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
单位重量: 1.800 g
找到的产品:
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要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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