STGP8M120DF3

STMicroelectronics
511-STGP8M120DF3
STGP8M120DF3

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package
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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
总价
¥48.7143 ¥48.71
¥31.9338 ¥319.34
¥23.5718 ¥2,357.18
¥20.9276 ¥10,463.80
¥18.6111 ¥18,611.10
¥18.4416 ¥36,883.20

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.85 V
- 20 V, 20 V
16 A
167 W
- 55 C
+ 175 C
M
Tube
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 8 A
栅极—射极漏泄电流: 250 uA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: IGBTs
单位重量: 2 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.

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