STGW10M65DF2

STMicroelectronics
511-STGW10M65DF2
STGW10M65DF2

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
ECAD模型:
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库存量: 979

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单价:
¥-.--
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数量 单价
总价
¥22.4983 ¥22.50
¥14.3962 ¥143.96
¥9.8423 ¥984.23
¥7.3111 ¥4,386.66
¥7.2772 ¥8,732.64
¥7.2433 ¥21,729.90
¥7.2207 ¥38,991.78
¥7.1981 ¥73,420.62
25,200 报价

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
20 A
115 W
- 55 C
+ 175 C
STGW10M65DF2
Tube
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 20 A
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
栅极—射极漏泄电流: 250 uA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 600
子类别: IGBTs
单位重量: 6 g
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99