STGW30M65DF2

STMicroelectronics
511-STGW30M65DF2
STGW30M65DF2

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss

寿命周期:
寿命结束:
将过时且制造商将停产。
ECAD模型:
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库存量: 177

库存:
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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥33.1655 ¥33.17
¥20.3513 ¥203.51
¥16.4641 ¥1,646.41
¥14.1476 ¥8,488.56
¥13.56 ¥16,272.00
¥12.7351 ¥38,205.30
¥11.5825 ¥62,545.50

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
60 A
258 W
- 55 C
+ 175 C
STGW30M65DF2
Tube
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 60 A
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 600
子类别: IGBTs
单位重量: 4.430 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。