STGW30V60DF

STMicroelectronics
511-STGW30V60DF
STGW30V60DF

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT

ECAD模型:
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库存量: 1,013

库存:
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生产周期:
14 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥32.6683 ¥32.67
¥17.9444 ¥179.44
¥14.6448 ¥1,464.48
¥13.4809 ¥8,088.54
¥12.4074 ¥14,888.88
¥11.6616 ¥34,984.80

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-247
Through Hole
Single
600 V
2.35 V
- 20 V, 20 V
60 A
258 W
- 55 C
+ 175 C
STGW30V60DF
Tube
商标: STMicroelectronics
组装国: CN
扩散国家: Not Available
原产国: CN
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 600
子类别: IGBTs
单位重量: 6.500 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99