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STGW75H65DFB2-4

Name: STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW75H65DFB2-4
Price: 59.73 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STGW75H65DFB2-4

制造商编号：

STGW75H65DFB2-4

制造商：

STMicroelectronics

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac

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数据表:

STGW75H65DFB2-4 数据表 (PDF)

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数量	单价	总价
	¥67.4949	¥67.49
	¥42.0247	¥420.25
	¥39.7082	¥3,970.82
	¥36.0696	¥21,641.76
	¥33.6627	¥40,395.24

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	1.55 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	115 A
Pd-功率耗散:	357 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	600
子类别:	IGBTs
单位重量:	4.430 g

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数据表

STGW75H65DFB2-4 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

1200V H 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT

STMicroelectronics 1200V H 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT 是采用先进的、具有专利的沟槽式栅极和场终止型结构进行开发的高速 IGBT。这些器件在传导和开关损耗间取得最佳折中，使任何频率转换器的效率实现最大化。得益于 ST 高级的沟槽式栅极场终止高速技术，这些 IGBT 在 T_J=150C 时具有 5μs 的最低短路承受时间、最少的集电极电流关闭拖尾，以及低至 2.1 V （典型值）的极低饱和电压_(sat)），尽可能降低了开关和打开过程中的电能损耗。此外，微正的 VCE_(sat) 温度系数和非常紧密的参数分布实现了更为安全的并行工作。1200V H 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT 是不间断电源、焊接机、光伏逆变器、功率因数校正、及高频转换器应用的理想选择。
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