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STGWA15H120DF2

Name: STMicroelectronics STGWA15H120DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA15H120DF2
Price: 33.75 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
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Mouser编号：

511-STGWA15H120DF2

制造商编号：

STGWA15H120DF2

制造商：

STMicroelectronics

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed

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数据表:

STGWA15H120DF2 数据表 (PDF)

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数量	单价	总价
	¥38.1375	¥38.14
	¥25.2329	¥252.33
	¥17.9444	¥1,794.44
	¥15.5488	¥9,329.28

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	1.2 kV
集电极—射极饱和电压:	2.5 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	30 A
Pd-功率耗散:	259 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	STGWA15H120DF2
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	CN
栅极—射极漏泄电流:	+/- 250 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	600
子类别:	IGBTs
单位重量:	6.100 g

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数据表

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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