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STGWA20H65DFB2

Name: STMicroelectronics STGWA20H65DFB2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA20H65DFB2
Price: 24.16 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STGWA20H65DFB2

制造商编号：

STGWA20H65DFB2

制造商：

STMicroelectronics

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l

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数据表:

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¥-.--

总价:

¥-.--

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数量	单价	总价
	¥27.3008	¥27.30
	¥15.142	¥151.42
	¥11.0853	¥1,108.53
	¥9.4242	¥4,712.10
	¥8.3507	¥10,020.84
	¥7.8874	¥18,929.76
	¥7.8422	¥84,695.76
25,200	报价

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	1.65 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	40 A
Pd-功率耗散:	147 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流:	250 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	1200
子类别:	IGBTs
单位重量:	6.100 g

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已选择的属性: 0

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数据表

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PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

600-650V IGBT

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STGWA20H65DFB2 HB2 IGBT

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1200V H 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT

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