STGWA20M65DF2

STMicroelectronics
511-STGWA20M65DF2
STGWA20M65DF2

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 20 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long lead

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
ECAD模型:
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供货情况

库存:
无库存
生产周期:
14 周 预计工厂生产时间。
最少: 600   倍数: 600
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥11.1644 ¥6,698.64
¥11.0853 ¥33,255.90
¥11.0062 ¥59,433.48

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
40 A
166 W
- 55 C
+ 175 C
HB2
Tube
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 40 A
栅极—射极漏泄电流: 250 uA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 600
子类别: IGBTs
单位重量: 6 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

650V IH系列IGBT

STMicroelectronics 650V IH系列IGBT的效率高,用于感应加热系统和软开关应用。该IGBT属于STPOWER™系列,超过了HB系列,目前用于感应加热应用。650V IH系列具有较低VCE(sat) 以及超低关闭能量,确保在最终应用中提高效率。现可提供采用TO-247长引线封装的40A和50A器件,20A和30A器件正在开发中。