STGWA20M65DF2

STMicroelectronics
511-STGWA20M65DF2
STGWA20M65DF2

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 20 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long lead

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

供货情况

库存:
无库存
生产周期:
14 周 预计工厂生产时间。
最少: 600   倍数: 600
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥12.4865 ¥7,491.90
¥12.1588 ¥14,590.56
¥11.7407 ¥35,222.10
¥11.4921 ¥62,057.34

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
40 A
166 W
- 55 C
+ 175 C
HB2
Tube
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 40 A
栅极—射极漏泄电流: 250 uA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 600
子类别: IGBTs
单位重量: 6 g
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

650V IH系列IGBT

STMicroelectronics 650V IH系列IGBT的效率高,用于感应加热系统和软开关应用。该IGBT属于STPOWER™系列,超过了HB系列,目前用于感应加热应用。650V IH系列具有较低VCE(sat) 以及超低关闭能量,确保在最终应用中提高效率。现可提供采用TO-247长引线封装的40A和50A器件,20A和30A器件正在开发中。