STGWA40H65DFB

STMicroelectronics
511-STGWA40H65DFB
STGWA40H65DFB

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT

ECAD模型:
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供货情况

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在途量:
600
生产周期:
14
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最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
总价
¥34.578 ¥34.58
¥19.6055 ¥196.06
¥16.046 ¥1,604.60
¥13.4809 ¥8,088.54
¥11.6616 ¥13,993.92

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
80 A
283 W
- 55 C
+ 175 C
STGWA40H65DFB
Tube
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 80 A
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 600
子类别: IGBTs
单位重量: 6 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。