STGYA120M65DF2AG

STMicroelectronics
511-STGYA120M65DF2AG
STGYA120M65DF2AG

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in

ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
Max247-3
Through Hole
Single
650 V
1.65 V
- 20 V, 20 V
160 A
625 W
- 55 C
+ 175 C
STGYA120M65DF2AG
AEC-Q101
Tube
商标: STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流: 250 uA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 600
子类别: IGBTs
单位重量: 4.430 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
中国
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

库存量: 505

库存:
505 可立即发货
生产周期:
22 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥77.3372 ¥77.34
¥47.8894 ¥478.89
¥39.0415 ¥3,904.15
¥35.9001 ¥21,540.06
¥32.2615 ¥38,713.80