STGYA75H120DF2

STMicroelectronics
511-STGYA75H120DF2
STGYA75H120DF2

制造商:

说明:
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 1200 V, 75 A, high-speed H series IGBT in a Max247 long l

ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
MAX257-3
Through Hole
Single
1.2 kV
2.1 V
- 20 V, 20 V
150 A
750 W
- 55 C
+ 175 C
Tube
商标: STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic: 75 A
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 30
子类别: IGBTs
单位重量: 4.430 g
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

库存量: 163

库存:
163
可立即发货
在途量:
600
预期 2026/12/18
生产周期:
22
大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥78.9079 ¥78.91
¥46.4091 ¥464.09
¥39.9568 ¥4,794.82
¥37.3917 ¥19,069.77