STH290N4F6-2AG

STMicroelectronics
511-STH290N4F6-2AG
STH290N4F6-2AG

制造商：

说明：
MOSFET LGS LV MOSFET
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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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数量 单价
总价
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¥10.8367 ¥10,836.70
¥10.509 ¥21,018.00
¥10.0909 ¥50,454.50
10,000 报价

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
H2PAK-2
N-Channel
1 Channel
40 V
180 A
1.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
115 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
AEC-Q101
STripFET
Reel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 48 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 116 ns
系列: STH290N4F6-2AG
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 105 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
单位重量: 4 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
不可用
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

STripFET™ 功率 MOSFET

这些 STripFET™ 功率 MOSFET 是增强模式 MOSFET，采用了最新改良的 意法半导体 专有的 STripFET™ 技术：采用全新栅极结构。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 展现出大电流和低 RDS(on) 的特点，符合电机控制、UPS、DC/DC 转换器、感应加热汽化器、太阳能等汽车和工业开关应用的要求。意法半导体 STripFET™ 功率 MOSFET 具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 是业界最低 RDS(on) 的 30 V - 150 V 功率 MOSFET。
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