STH60N099DM9-2AG

STMicroelectronics
511-STH60N099DM9-2AG
STH60N099DM9-2AG

制造商：

说明：
MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET
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STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
H2PAK-2
N-Channel
1 Channel
600 V
27 A
99 mOhms
- 30 V, 30 V
4.5 V
44 nC
- 55 C
+ 150 C
179 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 5 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 8 ns
系列: MDmesh DM9
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 58 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
单位重量: 1.490 g
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已选择的属性: 0

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合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
意大利
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

MDmesh™ M9 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M9功率MOSFET具有增强器件结构、低导通电阻和低栅极电荷值。这些功率MOSFET具有高反向二极管dv/dt和MOSFET dv/dt稳健性、大功率密度和低导通损耗。MDmesh M9功率MOSFET还具有高开关速度、高效率和低开关功率损耗。这些功率MOSFET设计采用创新的高压超级结技术，具有出色的品质因数 (FoM)。高FoM可实现更高的功率水平和密度，从而实现更紧凑的解决方案。典型应用包括服务器、电信数据中心、5G电源站、微逆变器和快速充电器。

STP60N043DM9 MDmesh DM9功率MOSFET

STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9功率MOSFET设计用于中/高压MOSFET，具有非常低的单位面积RDS(on)，联接有快速恢复二极管。该器件采用了创新的超结MDmesh DM9技术，提供一种多漏极制造工艺，从而可以增强器件结构。

库存量: 1

库存：
1
可立即发货
在途量:
2,000
生产周期：
26
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥51.6975 ¥51.70
¥34.6571 ¥346.57
¥24.8939 ¥2,489.39
¥22.9164 ¥11,458.20
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
¥19.3569 ¥19,356.90
¥18.6111 ¥37,222.20
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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