STHU36N60DM6AG

Name: STMicroelectronics STHU36N60DM6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STHU36N60DM6AG
Price: 22.47 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

511-STHU36N60DM6AG

制造商编号：

STHU36N60DM6AG

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 84 mOhm typ., 29 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	29 A
Rds On-漏源导通电阻:	99 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.75 V
Qg-栅极电荷:	46 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	210 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
商标:	STMicroelectronics
产品类型:	MOSFETs
工厂包装数量:	600
子类别:	Transistors

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PCN

Product Change Notification 2025-7-23 (PDF)

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 日本
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

DM6 N通道功率MOSFET

STMicroelectronics DM6 N通道功率MOSFET是MDmesh™ DM6快速恢复二极管的组成部分。该款汽车级N通道功率MOSFET具有极低恢复电荷 (Q_rr)、极短恢复时间 (t_rr) 以及低R_DS(on)。DM6功率MOSFET具有低栅极电荷、低输入电容、低导通电阻、高dv/dt耐受性及齐纳保护功能。该功率MOSFET适用于要求极为苛刻的高效转换器，并且是桥式拓扑和ZVS相移转换器的理想之选。