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STI33N65M2

Name: STMicroelectronics STI33N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STI33N65M2
Price: 12.3 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

511-STI33N65M2

制造商编号：

STI33N65M2

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package

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数据表:

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数量	单价	总价
	¥13.899	¥13,899.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-262-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	24 A
Rds On-漏源导通电阻:	117 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	41.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	190 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	SG
下降时间:	9 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	11.5 ns
系列:	STI33N65M2
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	72.5 ns
典型接通延迟时间:	13.5 ns
单位重量:	2.387 g

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已选择的属性: 0

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数据表

STI33N65M2 数据表 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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