STL125N10F8AG

STMicroelectronics
511-STL125N10F8AG
STL125N10F8AG

制造商:

说明:
MOSFET Automotive N-channel 100 V, 4.6 mOhms max., 125 A STripFET F8 Power MOSFET

ECAD模型:
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库存量: 2,130

库存:
2,130
可立即发货
在途量:
6,000
预期 2027/4/2
生产周期:
24
大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥25.9674 ¥25.97
¥16.8709 ¥168.71
¥11.6616 ¥1,166.16
¥9.4242 ¥4,712.10
¥9.0174 ¥9,017.40
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥8.3507 ¥25,052.10
¥7.345 ¥44,070.00
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8
N-Channel
1 Channel
100 V
125 A
4.6 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
AEC-Q101
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 17 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 16 ns
系列: STripFET F8
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 41 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
单位重量: 76 mg
找到的产品:
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
新加坡
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

STripFET F8N通道功率MOSFET

STMicroelectronics的 STripFET F8 N沟道功率MOSFET符合AEC-Q101标准,并提供30V至150V的全面封装解决方案,以满足超高功率密度解决方案的所有要求。这些低压MOSFET采用STPOWER STripFET F8技术。条形场效应晶体管F8技术通过降低导通电阻和开关损耗,同时优化体二极管特性,来节省能量并确保电源转换、电机控制和配电电路的低噪声。STMicroelectronics的 F8 N沟道功率MOSFET可简化系统设计,提高汽车、计算机/外设、数据中心、电信、太阳能、电源/转换器、电池充电器、家用/专业电器、游戏、无人机等应用的效率。