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STL12N10F7

Name: STMicroelectronics STL12N10F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL12N10F7
Price: 5.65 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STL12N10F7

制造商编号：

STL12N10F7

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 100 V, 11.3 mOhm typ., 12 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package

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数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerFLAT-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	44 A
Rds On-漏源导通电阻:	13.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	30 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	52 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	STripFET
封装:	Reel
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	8.9 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	8.7 ns
系列:	STL12N10F7
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	28.6 ns
典型接通延迟时间:	22.4 ns
单位重量:	76 mg

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数据表

STL12N10F7 数据表 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

STripFET™ 功率 MOSFET

这些 STripFET™ 功率 MOSFET 是增强模式 MOSFET，采用了最新改良的 意法半导体 专有的 STripFET™ 技术：采用全新栅极结构。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 展现出大电流和低 R_DS(on) 的特点，符合电机控制、UPS、DC/DC 转换器、感应加热汽化器、太阳能等汽车和工业开关应用的要求。意法半导体 STripFET™ 功率 MOSFET 具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 是业界最低 R_DS(on) 的 30 V - 150 V 功率 MOSFET。
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