STL165N4F8AG

STMicroelectronics
511-STL165N4F8AG
STL165N4F8AG

制造商：

说明：
MOSFET Automotive N-Channel 40V, 2.6mOhm max, 154A STripFET F8 Power MOSFET
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¥-.--
总价:
¥-.--
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封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥18.0348 ¥18.03
¥11.5825 ¥115.83
¥7.8083 ¥780.83
¥6.2037 ¥3,101.85
¥5.6952 ¥5,695.20
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥5.3788 ¥16,136.40
¥5.1076 ¥30,645.60
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-4
N-Channel
1 Channel
40 V
154 A
2.6 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
28 nC
- 55 C
+ 175 C
111 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 3.5 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 2.6 ns
系列: STripFET F8
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 16 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
单位重量: 76 mg
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已选择的属性: 0

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合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

STripFET F8N通道功率MOSFET

STMicroelectronics的 STripFET F8 N沟道功率MOSFET符合AEC-Q101标准，并提供30V至150V的全面封装解决方案，以满足超高功率密度解决方案的所有要求。这些低压MOSFET采用STPOWER STripFET F8技术。条形场效应晶体管F8技术通过降低导通电阻和开关损耗，同时优化体二极管特性，来节省能量并确保电源转换、电机控制和配电电路的低噪声。STMicroelectronics的 F8 N沟道功率MOSFET可简化系统设计，提高汽车、计算机/外设、数据中心、电信、太阳能、电源/转换器、电池充电器、家用/专业电器、游戏、无人机等应用的效率。

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