STL220N3LLH7

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Mouser编号：

511-STL220N3LLH7

制造商编号：

STL220N3LLH7

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET POWER MOSFET

完成您的设计

寿命周期:

停产

数据表:

STL220N3LLH7 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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发货提醒：

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerFLAT-5x6-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	220 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.2 V
Qg-栅极电荷:	46 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	113 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	51 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	115 ns
系列:	STL220N3LLH7
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	70 ns
典型接通延迟时间:	55 ns
单位重量:	76 mg

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已选择的属性: 0

筛选文档:

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

STMicroelectronics STripFET™ H7 MOSFETs

STMicroelectronics STripFET H7 series are optimized for high-density, high-performance power management systems. The STripFET H7 have low conduction losses for a better efficiency, and switching performance improvement (lower VDS spike and no HF ringing). This series of trench-gate low-voltage MOSFETs combine an extremely low on-resistance and ultra low capacitances with an optimized built-in Schottky diode for higher switching frequency operation.
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