STL36DN6F7

Name: STMicroelectronics STL36DN6F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL36DN6F7
Price: 10.39 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STL36DN6F7

制造商编号：

STL36DN6F7

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT

完成您的设计

数据表:

STL36DN6F7 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解STMicroelectronics STL36DN6F7详情

库存量: 42,415

库存：: 42,415 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 26 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥11.7407	¥11.74
	¥7.4241	¥74.24
	¥4.9268	¥492.68
	¥3.8533	¥1,926.65
	¥3.503	¥3,503.00
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥3.0623	¥9,186.90
	¥2.9041	¥17,424.60
	¥2.8137	¥25,323.30
	¥2.7572	¥66,172.80

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerFLAT-5x6-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	33 A
Rds On-漏源导通电阻:	23 mOhms, 23 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	8 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	58 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	STripFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	STMicroelectronics
配置:	Dual
下降时间:	3.95 ns, 3.95 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	3.25 ns, 3.25 ns
系列:	STL36DN6F7
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	12.1 ns, 12.1 ns
典型接通延迟时间:	7.85 ns, 7.85 ns
单位重量:	76 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

STL36DN6F7 数据表 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STripFET™ 功率 MOSFET

这些 STripFET™ 功率 MOSFET 是增强模式 MOSFET，采用了最新改良的 意法半导体 专有的 STripFET™ 技术：采用全新栅极结构。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 展现出大电流和低 R_DS(on) 的特点，符合电机控制、UPS、DC/DC 转换器、感应加热汽化器、太阳能等汽车和工业开关应用的要求。意法半导体 STripFET™ 功率 MOSFET 具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 是业界最低 R_DS(on) 的 30 V - 150 V 功率 MOSFET。
了解更多