STL52N60DM6

Name: STMicroelectronics STL52N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL52N60DM6
Price: 45.16 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

511-STL52N60DM6

制造商编号：

STL52N60DM6

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H

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封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥51.0308	¥51.03
	¥39.0415	¥390.42
	¥31.5948	¥3,159.48
	¥28.1257	¥14,062.85
	¥24.069	¥24,069.00
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥21.6734	¥65,020.20

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerFLAT-5
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	45 A
Rds On-漏源导通电阻:	84 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.75 V
Qg-栅极电荷:	52 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	174 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	STMicroelectronics
下降时间:	9.2 ns
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	4.3 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	63 ns
典型接通延迟时间:	19.4 ns
单位重量:	180 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

DM6 N通道功率MOSFET

STMicroelectronics DM6 N通道功率MOSFET是MDmesh™ DM6快速恢复二极管的组成部分。该款汽车级N通道功率MOSFET具有极低恢复电荷 (Q_rr)、极短恢复时间 (t_rr) 以及低R_DS(on)。DM6功率MOSFET具有低栅极电荷、低输入电容、低导通电阻、高dv/dt耐受性及齐纳保护功能。该功率MOSFET适用于要求极为苛刻的高效转换器，并且是桥式拓扑和ZVS相移转换器的理想之选。