STL6N3LLH6

STMicroelectronics
511-STL6N3LLH6
STL6N3LLH6

制造商:

说明:
MOSFET N-Ch 30 V 0.021 Ohm 6 A STripFET VI DG

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-2x2-6
N-Channel
1 Channel
30 V
6 A
40 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
3.6 nC
- 55 C
+ 150 C
2.4 W
Enhancement
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 5.4 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 11.2 ns
系列: STL6N3LLH6
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 9.4 ns
典型接通延迟时间: 4.8 ns
单位重量: 7.600 mg
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

STripFET™ 功率 MOSFET

这些 STripFET™ 功率 MOSFET 是增强模式 MOSFET,采用了最新改良的 意法半导体 专有的 STripFET™ 技术:采用全新栅极结构。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 展现出大电流和低 RDS(on) 的特点,符合电机控制、UPS、DC/DC 转换器、感应加热汽化器、太阳能等汽车和工业开关应用的要求。意法半导体 STripFET™ 功率 MOSFET 具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。这样的 STripFET™ 功率 MOSFET 是业界最低 RDS(on) 的 30 V - 150 V 功率 MOSFET。
了解更多

STripFET VI™功率MOSFET

STMicroelectronics STripFET VI™功率MOSFET是采用STMicroelectronics专有STripFET™技术和新型栅极结构的增强模式MOSFET。该款受益于STripFET™技术的功率MOSFET采用沟槽技术,可实现高效率和低RDS(on) ,满足各种汽车和工业开关应用的需求,如电机控制、UPS、直流/直流转换器、感应加热蒸发器和太阳能。它们具有非常低的开关栅极电荷、高雪崩耐受性、低栅极驱动功率损耗和高功率密度。

库存量: 5,806

库存:
5,806
可立即发货
在途量:
6,000
预期 2026/7/30
生产周期:
20
大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™
¥10.0909 ¥10.09
¥7.2433 ¥72.43
¥4.4974 ¥449.74
¥3.1075 ¥1,553.75
¥2.6103 ¥2,610.30
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥2.3391 ¥7,017.30
¥2.0227 ¥12,136.20
¥1.8645 ¥16,780.50
¥1.6837 ¥40,408.80
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。