STO67N60M6

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Mouser编号：

511-STO67N60M6

制造商编号：

STO67N60M6

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 600 V, 48 mOhm typ., 34 A MDmesh M6 Power MOSFET

完成您的设计

寿命周期:

停产

数据表:

STO67N60M6 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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发货提醒：

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	34 A
Rds On-漏源导通电阻:	54 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 25 V, 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.75 V
Qg-栅极电荷:	72.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	150 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	MDmesh
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	STMicroelectronics
产品类型:	MOSFETs
系列:	MDmesh M6
工厂包装数量:	1800
子类别:	Transistors
单位重量:	76 mg

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

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EOL

Product Discontinuation Notification 2025-11-4 (PDF)

PCN

Technical Resources

TO-LL and MDmesh M6 the latest breakthrough in high-level telecom SMPS (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

600V MDmesh™ DM6超级结MOSFET

STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6超级结MOSFET优化用于ZVS、全桥和半桥拓扑。MDmesh DM6功率MOSFET具有600V击穿电压，将经优化的电容曲线和终身破坏工艺相结合。MDmesh DM6 MOSFET具有低栅极电荷 (Q_g)、非常低的恢复电荷 (Q_rr)、较短恢复时间 (t_rr) 以及出色的每区域R_DS(on)。