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STP100N6F7

Name: STMicroelectronics STP100N6F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP100N6F7
Price: 15.23 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STP100N6F7

制造商编号：

STP100N6F7

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packag

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	100 A
Rds On-漏源导通电阻:	5.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	30 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	125 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	STripFET
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	15 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	55.5 ns
系列:	STP100N6F7
工厂包装数量:	2000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	28.6 ns
典型接通延迟时间:	21.6 ns
单位重量:	2 g

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已选择的属性: 0

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数据表

STP100N6F7 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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