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现货

RoHS

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STP100N8F6

STMicroelectronics

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

511-STP100N8F6

制造商编号：

STP100N8F6

制造商：

STMicroelectronics

说明：

MOSFET N-channel 80 V, 0.008 Ohm typ., 100 A, STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 pack

完成您的设计

数据表:

STP100N8F6 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	100 A
Rds On-漏源导通电阻:	8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	100 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	176 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	STripFET
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降时间:	21 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	46 ns
系列:	STP100N8F6
工厂包装数量:	2000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	103 ns
典型接通延迟时间:	33 ns
单位重量:	2 g

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

STP100N8F6 数据表 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 433

库存：: 433

可立即发货

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在途量:: 2,000

预期 2026/10/2
生产周期：: 20

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥19.6055	¥19.61
	¥10.17	¥101.70
	¥8.3507	¥835.07
	¥6.5879	¥3,293.95
	¥5.9099	¥5,909.90
	¥5.6387	¥11,277.40
	¥5.424	¥21,696.00
	¥4.7573	¥47,573.00