STP10N60M2

STMicroelectronics
511-STP10N60M2
STP10N60M2

制造商：

说明：
MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
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¥-.--
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数量 单价
总价
¥17.0404 ¥17.04
¥8.6897 ¥86.90
¥7.6727 ¥767.27
¥6.215 ¥3,107.50
¥5.5709 ¥5,570.90
¥5.198 ¥10,396.00
¥4.9494 ¥24,747.00

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
7.5 A
560 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
13.5 nC
- 55 C
+ 150 C
85 W
Enhancement
MDmesh
Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 13.2 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 8 ns
系列: STP10N60M2
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 32.5 ns
典型接通延迟时间: 8.8 ns
单位重量: 2 g
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合，满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT（用于硬开关和软开关拓扑）和低压沟槽式MOSFET（用于电源转换和BLDC电机驱动器）。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C)，超小RDS(on) 区域（ 随温度变化非常小）以及出色的开关性能，从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制，M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

MDmesh™ II 功率 MOSFET

意法半导体 MDmesh™ II 功率 MOSFET 将垂直结构与 STM 带状布局相结合，产生了业界最低的导通电阻和栅极电荷，使其能适应要求最高的高效转换器。这些 MDmesh™ II 功率 MOSFET 完全绝缘，采用薄型封装，加长了从引脚到散热盘的爬电路径。它们经 100% 雪崩测试，输入电容、栅极电荷及栅极输入电阻低。
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